细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅工艺
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化 碳化硅晶圆：特性与制造，
一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过 2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩 知乎 有问题，就会有答案
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
Explore the production process of silicon carbide devices, which involves substrate preparation, epitaxial layer growth, wafer manufacturing, and packaging tests2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
碳化硅SiC涂层石墨基座在半导体制造中的关键作用
2023年11月8日 该方法工艺简单且成本较低，但制备出的涂层与基体结合较弱，涂层均匀性较差，且涂层较薄，抗氧化性较低，因此需要其他辅助方法。 离子束喷涂法 该方法操作简单，可以制备出较为致密的碳化硅涂 2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 这在一定程度上限制了该工艺在复杂结构碳化硅陶瓷制备中的应用。 作者所在公司经过多年研究，成功采用冷等静压成型结合无压烧结工艺制备了反射镜、磁钢骨架等复杂结构碳化硅陶瓷制品，通过控制制备工艺参数，将毛坯的尺寸精度控制在02%以内，实 2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
碳化硅陶瓷百度百科
碳化硅 (SiC) [1]是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料 2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。碳化硅器件制造工艺流程
笙生亲兄直界（SIC）喝伤日硝竭楔蜈； 知乎
笙生亲兄直界（SIC）喝伤日硝竭楔蜈； 01 稻酸葵巧 笙图鼎SBD祷MOSFET字库瞎寺料享瘪凌辞，SBD臭妨部澈、园射纺范婴够蛛舶，MOSFET认蔫霞红会砖呀祸广，宫胀猜僧鲜俱宗拥恩、臼啊足MOSFET扭掺宋辕颅惑： （1）鬼贮沪膝真署。 直钩含折，芯肆旨能惧剿 碳化硅生产工艺工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦(无烟煤）为主要原料,在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO—46。 8kJ(1120kcal）1原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2〉99％，无烟煤的挥发分〈5％2合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 采用京瓷独有的工艺 可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。下表所示是一些实例 4 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩 知乎 有问题，就会有答案
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Explore the production process of silicon carbide devices, which involves substrate preparation, epitaxial layer growth, wafer manufacturing, and packaging tests2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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